GT Advanced Technologies Inc.29日宣布，公司專有的新一代HiCz連續(xù)加料直拉技術(shù)贏得了一個(gè)新項(xiàng)目，可望促進(jìn)太陽能產(chǎn)業(yè)向更高效率及更低成本的太陽能材料過渡。公司與Qatar Solar Energy達(dá)成協(xié)議，向QSE于卡塔爾在杜哈的集成太陽能制造專案提供HiCz(TM)200熔爐。

HiCz是GT專有的新一代太陽能行業(yè)的單晶直拉爐，可生產(chǎn)p型及n型單晶晶棒。 HiCz連續(xù)加料長晶工藝比傳統(tǒng)的間歇式Cz熔爐更具明顯優(yōu)勢，使得其更適合n型硅錠生產(chǎn)。該工藝流程通過增加產(chǎn)量降低芯片的成本，并有助于提高太陽能電池片的效率。GT太陽能業(yè)務(wù)部行政副總裁Dave Keck表示，GT的HiCz 200熔爐可望生產(chǎn)效率超過22%的優(yōu)質(zhì)n型太陽能電池片。

QSE已實(shí)現(xiàn)了300 MW產(chǎn)能的綜合設(shè)施，并將進(jìn)一步擴(kuò)大至2.5 GW。該供應(yīng)協(xié)議須待QSE通過政府批準(zhǔn)及融資成功后方可作實(shí)，屆時(shí)GT將獲得來自QSE的設(shè)備訂單。