非晶硅(Amorphous silicon, a-Si)，又名無定形硅，是硅的一種同素異形體。

晶體硅通常呈正四面體排列，每一個硅原子位于正四面體的頂點(diǎn)，并與另外四個硅原子以共價鍵緊密結(jié)合。這種結(jié)構(gòu)可以延展得非常龐大，從而形成穩(wěn)定的晶格結(jié)構(gòu)。

而無定性硅不存在這種延展開的晶格結(jié)構(gòu)，原子間的晶格網(wǎng)絡(luò)呈無序排列。換言之，并非所有的原子都與其它原子嚴(yán)格地按照正四面體排列。由于這種不穩(wěn)定性，無定形硅中的部分原子含有懸空鍵(dangling bond)。這些懸空鍵對硅作為導(dǎo)體的性質(zhì)有很大的負(fù)面影響。然而，這些懸空鍵可以被氫所填充，經(jīng)氫化之后，無定形硅的懸空鍵密度會顯著減小，并足以達(dá)到半導(dǎo)體材料的標(biāo)準(zhǔn)。但很不如愿的一點(diǎn)是，在光的照射下，氫化無定形硅的導(dǎo)電性能將會顯著衰退，這種特性被稱為SWE效應(yīng)(Staebler-Wronski Effect).

美國科學(xué)家Stanford R. Ovshinsky擁有許多關(guān)于無定形硅的專利，包括半導(dǎo)體、太陽能電池等。它們的成本較相應(yīng)的晶體硅制成品要低很多。

此外，無定形硅可用作熱成像照相機(jī)(Thermal Camera)中的微輻射探測儀(microbolometer)。