一、N型單晶硅材料及電池組件的優(yōu)勢(shì)

與P型單晶硅相比，n單晶硅的生產(chǎn)制備沒(méi)有本質(zhì)的區(qū)別，是非常成熟的工藝技術(shù)，隨著N型單晶硅生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大和技術(shù)的進(jìn)步，兩者之間的生產(chǎn)成本將會(huì)越來(lái)越接近。

磷摻雜的N型單晶硅及電池組件較硼摻雜的P型單晶硅及電池組件有許多明顯的優(yōu)勢(shì)。首先，N型材料中的雜質(zhì)對(duì)少子空穴的捕獲能力低于P型材料中的雜質(zhì)對(duì)少子電子的捕獲能力，相同電阻率的N型CZ硅片的少子壽命比P型硅片的高出1~2個(gè)數(shù)量級(jí)，達(dá)到毫秒級(jí)。且N型材料的少子空穴的表面復(fù)合速率低于P型材料中電子的表面復(fù)合速率，因此采用N型晶硅材料的少子空穴的復(fù)合將遠(yuǎn)低于P型的少子電子的復(fù)合。

其次，N型硅片對(duì)金屬污染的容忍度要高于P型硅片。如圖3所示，F(xiàn)e，Cr，Co，W，Cu，Ni等金屬對(duì)P型硅片少子壽命的影響均比N型硅片大，由于帶正電荷的金屬元素具有很強(qiáng)的捕獲少子電子的能力，而對(duì)于少子空穴的捕獲能力比較弱，所以對(duì)于少子為電子的P型硅片的影響比少子為空穴的N型硅片影響要大，即在相同金屬污染的情況下，N型硅片的少子壽命要明顯高于P型硅片。但對(duì)于Au卻是相反地，但對(duì)于現(xiàn)代工藝技術(shù)而言，Au污染已不再是問(wèn)題。

圖1 金屬雜質(zhì)在硅中的復(fù)合行為

1973年H.Fischer等發(fā)現(xiàn)P型摻硼CZ晶硅電池在光照下會(huì)發(fā)生明顯的電性能衰減。1997年J.Schmidt等證實(shí)硼摻雜Cz晶體電池出現(xiàn)光致衰減是由于光照或電流注入導(dǎo)致硅片中的硼和氧形成硼氧復(fù)合中心，從而使少子壽命降低，引起電池轉(zhuǎn)換效率下降。2006年A.Herguth等人發(fā)現(xiàn)在一定的溫度和光照條件下，可以使硼氧復(fù)合體形成復(fù)合活性較低的中間態(tài)，在一定程度上降低由硼氧復(fù)合體復(fù)合中心導(dǎo)致的光致衰減。而摻磷的N型晶體硅中硼含量極低，本質(zhì)上消除了硼氧對(duì)的影響，所以幾乎沒(méi)有光致衰減效應(yīng)的存在。

最后，由于N型基體材料高的少子壽命，N型晶硅組件在弱光下表現(xiàn)出比常規(guī)P型晶硅組件更優(yōu)異的發(fā)電特性。如圖4所示，N型晶硅組件在光強(qiáng)小于600W/m2的弱光情況下，相對(duì)發(fā)電效率明顯高于P型晶硅組件。

圖2 N型和P型晶硅組件相對(duì)效率隨入射光強(qiáng)度的變化曲線

二、N型單晶電池結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)

目前研究的N型單晶高效電池主要有：PERT電池，PERL電池，HIT電池，IBC電池，HBC電池等。PERT電池根據(jù)其發(fā)射結(jié)的位置可分為正結(jié)型（p+nn+）和背結(jié)型（n+np+），根據(jù)其受光面不同分為單面受光型和雙面受光型。PERL電池根據(jù)其受光面不同，也可分為單面受光型和雙面受光型。如圖5所示。本文將就幾種典型電池的結(jié)構(gòu)和工藝特點(diǎn)進(jìn)行重點(diǎn)介紹。

圖3 N型單晶硅太陽(yáng)能電池的分類

1 N-PERL電池
PERL電池是發(fā)射結(jié)鈍化背面局部擴(kuò)散電池（PassivatedEmitterRearLocally-diffused），其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是背面局部接觸處重?fù)诫s以降低電池背面局部接觸區(qū)域的接觸電阻和復(fù)合速率。背面局部重?fù)娇梢酝ㄟ^(guò)不同的工藝方式實(shí)現(xiàn)，比較常用的是激光摻雜和離子注入等。另外，PERL電池根據(jù)其受光面不同，可分為單面受光型和雙面受光型。單面受光型電池背面一般為全金屬背電極覆蓋，而雙面受光型一般為絲網(wǎng)印刷正反面對(duì)稱結(jié)構(gòu)，背面可接收反射光線，結(jié)合雙玻組件技術(shù)可提高3%以上的總發(fā)電量。

德國(guó)Fraunhofer實(shí)驗(yàn)室利用PassDop技術(shù)制備的n-PERL小面積電池（4cm2），其轉(zhuǎn)化效率達(dá)23.2%（Voc=699mV，Jsc=41.3mA/cm2，F(xiàn)F=80.5%），電池結(jié)構(gòu)如圖6所示?；w材料為N型CZ單晶硅，正面通過(guò)離子注入形成硼摻雜p+發(fā)射結(jié)，正面采用ALD工藝沉積Al2O3鈍化層鈍化發(fā)射結(jié)降低表面復(fù)合速率，再用PECVD沉積SiNx形成減反膜。正面光刻工藝開(kāi)槽后用蒸鍍方法形成Ti/Pb/Ag金屬電極，背面利用激光摻雜技術(shù)形成局部背場(chǎng)，如圖7所示。其工藝特點(diǎn)是先在背面PECVD法生長(zhǎng)一層磷摻雜的a-SiCx鈍化層，再利用激光在熔融鈍化層的同時(shí)將其中的磷元素?fù)诫s進(jìn)晶體硅形成局部重?fù)剑詈笸ㄟ^(guò)PVD的方法形成Al背面電極。背面磷摻雜的a-SiCx鈍化層具有很好的鈍化效果，金屬接觸區(qū)域n++局部重?fù)皆诮档徒佑|電阻的同時(shí)，減少了金屬接觸區(qū)域的復(fù)合，提升了電池的開(kāi)路電壓和填充因子。電池Uoc達(dá)699mV，F(xiàn)F達(dá)80.5%，顯示了良好的表面鈍化效果和接觸特性。

PassDop技術(shù)采用成熟的激光摻雜技術(shù)在形成背面局部接觸窗口的同時(shí)形成局部重?fù)?，在不額外增加工藝步驟的情況下實(shí)現(xiàn)了PERL電池結(jié)構(gòu)，是一種非常有應(yīng)用前景的N型高效電池的技術(shù)。

圖4 德國(guó)FraunhoferPassDop技術(shù)PERL電池結(jié)構(gòu)示意圖

圖5 PassDop激光摻雜示意圖（a）基體硅背面（b）沉積磷摻雜的a-SiCx鈍化層（c）激光開(kāi)槽形成局部重?fù)剑╠）沉積Al背電極

日本三菱電機(jī)的n-PERL電池則采用雙面受光型結(jié)構(gòu)，在156*156mm2大面積單晶硅片上實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)化效率21.3%（Jsc=39.8mA/cm2，Voc=677mV，F(xiàn)F=80.5%），電池結(jié)構(gòu)如圖8所示。其正面發(fā)射結(jié)利用APCVD的方法沉積硼硅玻璃后經(jīng)熱擴(kuò)散形成P型發(fā)散結(jié)，再采用ALD沉積Al2O3鈍化p+發(fā)射結(jié)以降低表面復(fù)合速率。與Fraunhofer的N型PERL電池背面結(jié)構(gòu)不同的是，除了在電極下局部重?fù)叫纬蒐BSF，以有效地降低背面接觸位置的復(fù)合速率及接觸電阻外，其背面局部接觸之間通過(guò)擴(kuò)散形成一層均勻的N型摻雜層，可有效降低由于N型材料相對(duì)較高的體電阻率所引起的電阻損耗。背面柵狀電極通過(guò)精準(zhǔn)對(duì)位準(zhǔn)確覆蓋于局部重?fù)絽^(qū)域形成雙面受光電池結(jié)構(gòu)。此電池結(jié)構(gòu)兼具PERT和PERL電池結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)，但因引入多步摻雜工藝而額外增加了工藝復(fù)雜度及制造成本而未被廣泛采用。

圖6 日本三菱電機(jī)PERL電池結(jié)構(gòu)示意圖

2 N-PERT電池
PERT電池是發(fā)射結(jié)鈍化全背場(chǎng)擴(kuò)散電池（PassivatedEmitterRearTotally-diffused），其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是背表面擴(kuò)散全覆蓋以降低電池的背面接觸電阻和復(fù)合速率。背面全背場(chǎng)擴(kuò)散可以通過(guò)不同的工藝方式實(shí)現(xiàn)，主要包括管式擴(kuò)散，外延生長(zhǎng)法，離子注入法等。

英利公司PANDA電池是采用雙面受光型PERT結(jié)構(gòu)的大面積電池（239cm2），并且已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，最高轉(zhuǎn)化效率為20.76%（Voc=650.3mV，Jsc=39.6mA/cm2，F(xiàn)F=80.63%），電池結(jié)構(gòu)如圖9所示。其在普通化學(xué)制絨的N型Si片上，通過(guò)硼磷管式共擴(kuò)散制備正面P型發(fā)射結(jié)和N型背面，然后通過(guò)PECVD技術(shù)在前后表面制備鈍化層和減反膜，正反面電極使用常規(guī)絲網(wǎng)印刷工藝完成。

PANDA電池雙面發(fā)電的設(shè)計(jì)，能夠同時(shí)接受從正面和背面進(jìn)入電池的光線從而實(shí)現(xiàn)雙面發(fā)電的功能；正面采用細(xì)密柵線的設(shè)計(jì)，減少了遮光面積，提高了電池的短路電流。與規(guī)模化生產(chǎn)的IBC、HIT等N型電池相比，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制備成本低、工藝流程短，與現(xiàn)有的P型生產(chǎn)線相兼容，容易實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

圖7 英利公司PANDA電池結(jié)構(gòu)示意圖

比利時(shí)IMECn-PERT電池是背結(jié)型大面積電池（225cm2），轉(zhuǎn)化效率達(dá)21.51%（Voc=675.9mV，Jsc=39.35mA/cm2，F(xiàn)F=80.9%），電池結(jié)構(gòu)如圖10所示。正面為N型前表面場(chǎng)，背面為通過(guò)外延法生長(zhǎng)的P型晶硅背發(fā)射結(jié)，再用ALD法生長(zhǎng)Al2O3鈍化層鈍化背面。外延法生長(zhǎng)背面P型發(fā)射結(jié)技術(shù)目前仍然處理實(shí)驗(yàn)室研究階段，其量產(chǎn)可能性還有待驗(yàn)證。

圖8 IMECPERT電池結(jié)構(gòu)示意圖

為了進(jìn)一步降低背面復(fù)合速率實(shí)現(xiàn)背面整體鈍化，并去除背面開(kāi)膜工藝，鈍化接觸技術(shù)近年來(lái)成為行業(yè)研究熱點(diǎn)。德國(guó)Fraunhofer開(kāi)發(fā)的Topcon（TunnelOxidePassivatedContact）技術(shù)在小面積電池（4cm2）上實(shí)現(xiàn)25.1%的轉(zhuǎn)化效率（Voc=718mV，Jsc=42.1mA/cm2，F(xiàn)F=83.2%），電池結(jié)構(gòu)如圖11所示。正面采用選擇性發(fā)射結(jié)結(jié)構(gòu)，方塊電阻達(dá)150ohm/sq，并采用Al2O3/SiNx進(jìn)行表面鈍化和減反射以降低表面復(fù)合速率和反射率。背面首先在電池背面采用濕化學(xué)方法制備一層超薄SiO2，厚度約1~2nm，然后再沉積一層20nm厚的磷摻雜非晶硅層，經(jīng)過(guò)高溫退火后形成摻雜多晶硅，二者共同形成鈍化接觸結(jié)構(gòu)，最后通過(guò)PVD的方法形成全背面金屬接觸。

背面TopCon結(jié)構(gòu)的隧穿效應(yīng)示意圖如圖12所示，1~2nm厚的化學(xué)SiO2隧穿氧化層具有很好的選擇性，允許多子電子穿越同時(shí)阻擋少子空穴的復(fù)合，由于采用晶化處理，此鈍化結(jié)構(gòu)具有很好的熱穩(wěn)定性。Topcon全接觸鈍化結(jié)合全金屬電極的創(chuàng)新結(jié)構(gòu)，克服了PERL電池結(jié)構(gòu)由于局部開(kāi)孔對(duì)載流子傳輸路徑的限制，實(shí)現(xiàn)了最短的電流傳輸路徑，將傳輸電阻損失降低為零，根本上消除了電流橫向傳輸引起的損失。

相比較于PERL電池結(jié)構(gòu)，TopCon結(jié)構(gòu)無(wú)須背面開(kāi)孔和對(duì)準(zhǔn)，也無(wú)須額外增加局部摻雜工藝，極大地簡(jiǎn)化了電池生產(chǎn)工藝，同時(shí)摻雜多晶硅層良好地鈍化特性以及背面金屬全接觸結(jié)構(gòu)具有進(jìn)一步提升轉(zhuǎn)換效率的空間，或可成為下一代產(chǎn)業(yè)化N型高效電池的切入點(diǎn)。

圖9 德國(guó)FraunhoferTopcon技術(shù)PERT電池結(jié)構(gòu)示意圖

圖10 TopCon結(jié)構(gòu)的隧穿效應(yīng)示意圖

3 N-PERT/PERL電池的研究和產(chǎn)業(yè)化現(xiàn)狀
N-PERT/PERL電池由于比較大的效率提升潛力，相對(duì)比較簡(jiǎn)單的電池結(jié)構(gòu)，且與現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)比較好的兼容性，成為近些年行業(yè)研究的熱點(diǎn)，不同國(guó)家不同機(jī)構(gòu)的研究人員開(kāi)展了大量富有成效的工作。表1匯總了N-PERT/PERL電池的實(shí)驗(yàn)室研究水平和產(chǎn)業(yè)化現(xiàn)狀，其中中國(guó)英利公司與ECN合作開(kāi)發(fā)的PANDA雙面電池已經(jīng)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，并充分利用了原有電池線的生產(chǎn)設(shè)備；韓國(guó)LG公司利用離子注入工藝和絲網(wǎng)印刷實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的電池效率達(dá)到21.5~22%，是比較高的量產(chǎn)效率。需要特別指出的是德國(guó)Fraunhofer利用Topcon技術(shù)制備的n-PERT電池轉(zhuǎn)化效率達(dá)25.1%，是非常值得產(chǎn)業(yè)界期待的技術(shù)路線。

表1 N-PERT/PERL電池研究和產(chǎn)業(yè)化現(xiàn)狀匯總

4 IBC電池
叉指狀背接觸電池IBC（InterdigitatedBackContact）最早是由Schwartz和Lammertz在1975年提出來(lái)的，它將pn結(jié)、基底與發(fā)射區(qū)的接觸電極以叉指形狀全部做在電池背面，完全消除了前表面柵線的遮光，同時(shí)無(wú)須考慮前表面減反射結(jié)構(gòu)對(duì)電極接觸的影響，為前表面陷光結(jié)構(gòu)和實(shí)現(xiàn)更低反射率提供了更大的優(yōu)化空間和潛力。全背面電極由于不用考慮對(duì)電池光學(xué)方面的影響，設(shè)計(jì)時(shí)可以更加專注于電池電性能的提高。

IBC電池的核心問(wèn)題使如何在電池背面制備出質(zhì)量較好、成叉指狀間隔排列的p區(qū)和n區(qū)。傳統(tǒng)的技術(shù)路線是液態(tài)硼擴(kuò)散和光刻技術(shù)，但需要高溫工藝，且均勻性較差；為避免多步光刻及擴(kuò)散工藝所帶來(lái)的復(fù)雜操作，可在電池背面印刷一層含硼的叉指狀擴(kuò)散掩膜層，掩膜層上的硼經(jīng)擴(kuò)散后進(jìn)入N型襯底形成p+區(qū)，而未印刷掩膜層的區(qū)域，經(jīng)磷擴(kuò)散后形成n+區(qū)。另外，使用離子注入技術(shù)[21]可獲得均勻性好、結(jié)深精確可控的p區(qū)和n區(qū)，具有很好的發(fā)展前景，但成本較高，尚未產(chǎn)業(yè)化。

美國(guó)SUNPOWER公司IBC電池已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，電池結(jié)構(gòu)如圖13所示，實(shí)驗(yàn)室最高轉(zhuǎn)換效率達(dá)25%（Voc=706mV，Jsc=42.1mA/cm2，F(xiàn)F=82.8%），量產(chǎn)平均效率達(dá)23%。其電池前表面通過(guò)金字塔結(jié)構(gòu)及減反膜來(lái)提高電池的陷光效應(yīng)。電池的背表面由硼擴(kuò)散p+區(qū)域和磷擴(kuò)散n+區(qū)域呈指狀交叉分布，正反表面均覆蓋SiO2鈍化膜，降到了表面復(fù)合并增加了長(zhǎng)波響應(yīng)，從而提高了開(kāi)路電壓。在前表面的鈍化層下進(jìn)行淺磷擴(kuò)散以形成n+前表面場(chǎng)，提高短波響應(yīng)。P型和N型金屬電極通過(guò)絲網(wǎng)印刷方式實(shí)現(xiàn)，透過(guò)SiO2介質(zhì)膜上的孔槽與Si襯底實(shí)現(xiàn)點(diǎn)接觸，減少了金屬電極與硅片的接觸面積，進(jìn)一步降低了電極表面的復(fù)合，提高了開(kāi)路電壓。但是，IBC電池制程工藝復(fù)雜，多次使用掩膜、光刻等半導(dǎo)體技術(shù)，成本幾乎為常規(guī)電池的兩倍，因此如何簡(jiǎn)化工藝，開(kāi)發(fā)低成本的IBC技術(shù)并推向產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用是業(yè)界關(guān)注的重點(diǎn)和難點(diǎn)。

圖11 美國(guó)SUNPOWER公司IBC電池結(jié)構(gòu)示意圖

表2匯總了IBC電池部分機(jī)構(gòu)&公司研究現(xiàn)狀，電池效率普遍在22%以上，美國(guó)Sunpower公司IBC電池已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，實(shí)驗(yàn)室最高效率達(dá)25%。天合公司的大面積IBC電池，簡(jiǎn)化了工藝流程，最高轉(zhuǎn)換效率達(dá)22.9%，通過(guò)工藝優(yōu)化預(yù)計(jì)可達(dá)到23.8%。另外，天合與澳大利亞國(guó)立大學(xué)（ANU）共同研發(fā)的小面積電池效率達(dá)24.37%。顯示了IBC電池在結(jié)構(gòu)方面的優(yōu)勢(shì)及強(qiáng)大發(fā)展?jié)摿Α?/p>

表2 IBC電池研究現(xiàn)狀匯總

5 HIT電池
HIT電池正面首先沉積很薄的本征非晶硅層作為表面鈍化層，然后沉積硼摻雜的p+型非晶硅層，兩者共同構(gòu)成正面空穴傳輸層。沉積后硅片靠近表面由于能帶彎曲，阻擋了電子向正面的移動(dòng)。相反對(duì)空穴而言，由于本征層很薄，空穴可以隧穿后通過(guò)高摻雜的p+型非晶硅。在背面同樣沉積本征非晶硅薄膜和摻磷的n+非晶硅層，同樣由于能帶彎曲，阻擋了空穴向背面的移動(dòng)，而電子可以隧穿，兩者共同構(gòu)成了電子傳輸層。通過(guò)在電池正反兩面沉積選擇性傳輸層，使得光生載流子只能在吸收材料中產(chǎn)生富集然后從電池的一個(gè)表面流出，從而實(shí)現(xiàn)兩者的分離。

1992年三洋公司的Makoto Tanaka和Mikio Taguchi第一次成功制備了HIT（Heterojunctionwith Intrinsic ThinLayer）電池。HIT電池結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，其中間襯底為N型晶體硅，通過(guò)PECVD方法在P型a-Si和c-Si之間插入一層10nm厚的i-a-Si本征非晶硅，在形成pn結(jié)的同時(shí)本征a-Si：H具有很好的鈍化晶體硅表面缺陷的作用，極大地降低了晶體硅的表面復(fù)合，復(fù)合速率可降至3cm/s，確保了電池很高的開(kāi)路電壓。電池背面為20nm厚的本征a-Si：H和N型a-Si：H層，在鈍化表面的同時(shí)可以形成背表面場(chǎng)。由于非晶硅的導(dǎo)電性較差，因此在電池兩側(cè)利用磁控濺射技術(shù)濺射TCO膜進(jìn)行橫向?qū)щ姡詈蟛捎媒z網(wǎng)印刷技術(shù)形成雙面電極，使得HIT電池有著對(duì)稱雙面電池結(jié)構(gòu)，一定程度上減少了電池的熱應(yīng)力和機(jī)械應(yīng)力，并允許薄硅片的使用，同時(shí)電池背面可以利用地面的反射光發(fā)電，提高了發(fā)電量。整個(gè)制備過(guò)程都是在低于200℃下進(jìn)行的，可避免高溫工藝對(duì)硅片的損傷。并且，N型HIT電池沒(méi)有光致衰減效應(yīng)，且溫度穩(wěn)定好，溫度系數(shù)僅為-0.25%/°C，即使在戶外高溫度條件下工作，仍能表現(xiàn)出很好的輸出特性。

日本Panasonic公司于2009年收購(gòu)三洋公司后，繼續(xù)HIT電池的開(kāi)發(fā)，其電池結(jié)構(gòu)如圖14所示，實(shí)驗(yàn)室最高轉(zhuǎn)換效率達(dá)24.7%（Voc=750mV，Jsc=39.5mA/cm2，F(xiàn)F=83.2%），量產(chǎn)平均效率達(dá)22.5%。

圖12 日本Panasonic公司的HIT電池結(jié)構(gòu)示意圖
表3匯總了HIT電池部分機(jī)構(gòu)&公司研究現(xiàn)狀，電池效率普遍在22%以上，顯示了HIT電池在結(jié)構(gòu)方面的優(yōu)勢(shì)及發(fā)展?jié)摿?。需要特別指出的是，美國(guó)Silevo利用隧穿氧化鈍化層制備大面積HIT電池效率達(dá)23.1%，非常具有大規(guī)模量產(chǎn)的前景。

表3 HIT電池研究現(xiàn)狀匯總

HIT電池雖然發(fā)展迅速，但是仍然存在許多問(wèn)題，一定程度上限制了其大規(guī)模量產(chǎn)。首先其生產(chǎn)過(guò)程中的每一步工藝要求都非常嚴(yán)格，比如由于非晶硅薄膜生長(zhǎng)對(duì)表面質(zhì)量要求很高，所以對(duì)前道晶硅的表面清潔凈化技術(shù)提出非常高的要求。其次，非晶硅薄膜無(wú)法承受較高溫度的后續(xù)工藝，后道必須使用高成本低溫工藝和材料。另外，TCO薄膜成本較高，且產(chǎn)量有限。所以在保證高效的情況下，大規(guī)模的量產(chǎn)還需要進(jìn)一步的研究。到目前為止，只有panasonic公司的HIT電池成功實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化，但其對(duì)HIT電池的相關(guān)參數(shù)以及制備過(guò)程無(wú)詳細(xì)報(bào)道，而世界各地的科研小組至今沒(méi)有能達(dá)到或重復(fù)其實(shí)驗(yàn)效果。

大規(guī)模量產(chǎn)方面，據(jù)報(bào)道日本松下（Panasonic）現(xiàn)有HIT產(chǎn)能共1GW，160MW為一條產(chǎn)線。電池量產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率約為22.5%，馬來(lái)西亞工廠HIT組件成本約為0.7美元/瓦。所有硅片電池均為125mm×125mm，主要原因是薄片化（初始硅片厚度150μm，制成電池后厚度為110μm），如果采用156mm×156mm硅片在絲網(wǎng)印刷段容易碎片。最早投入使用的HIT組件至今大約11年，累計(jì)衰減僅為2%~3%。

另外，Solarcity收購(gòu)Silevo，計(jì)劃在美國(guó)建設(shè)1GWHIT電池工廠。歐洲聯(lián)合研究中心最近公布“MW級(jí)先進(jìn)光伏制造工廠計(jì)劃（X-GWp），核心目標(biāo)是推動(dòng)新型高效（22-25%）HIT電池的量產(chǎn)，預(yù)計(jì)在2017年建設(shè)產(chǎn)能1GW的工廠。

6 HBC電池
日本Panasonic公司的HBC電池（Hetero-junctionBackContact）是將HIT技術(shù)運(yùn)用于IBC結(jié)構(gòu)的電池。其電池結(jié)構(gòu)如圖所示，創(chuàng)造了實(shí)驗(yàn)室最高轉(zhuǎn)換效率25.6%的世界紀(jì)錄（Voc=740mV，Jsc=41.8mA/cm2，F(xiàn)F=82.7%）。HBC電池與HIT電池相比最大的特點(diǎn)是前表面沒(méi)有柵線電極，極大降低了柵線對(duì)太陽(yáng)光的遮擋損失，確保了電池高的Isc。其正面先生長(zhǎng)“一個(gè)鈍化效果非常好的鈍化層”鈍化表面，再沉積SiNx減反膜降低反射率。背面先沉積一層本征a-Si：H，再沉積呈指狀交叉分布N型a-Si：H層和P型a-Si：H層，非晶硅薄層極好地鈍化效果確保了電池的高開(kāi)路電壓，最后用電鍍工藝制備背面的正負(fù)電極，由于不用考慮對(duì)電池光學(xué)方面的影響，電極設(shè)計(jì)時(shí)可以更加專注于電池電性能的提高，確保了電池高的填充因子。

圖15 日本Panasonic公司的HBC電池結(jié)構(gòu)示意圖