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Diodes推雙向MOSFET 芯片級(jí)封裝提高鋰電池容量

作者: | 發(fā)布日期: 2015 年 02 月 02 日 17:49 | 分類: 產(chǎn)業(yè)資訊

Diodes Incorporated公司推出雙向MOSFET DMN2023UCB4,提供超卓的單電芯及雙電芯鋰電池充電保護(hù)。此產(chǎn)品纖薄的芯片級(jí)封裝使設(shè)計(jì)人員能夠利用省下來(lái)的空間來(lái)提高電池容量。
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DMN2023UCB4的RSS(on) 少于26mΩ,旨在以最低的導(dǎo)通電阻來(lái)減低功耗。此外,其雙N通道共汲極組態(tài)特別適合一般使用低側(cè)電池開(kāi)關(guān)的充電電路,從而滿足單電芯及雙電芯鋰電池的要求。至于要求高端連接的應(yīng)用,Diodes公司也推出了DMP2100UCB9,提供雙P通道共源MOSFET設(shè)計(jì)。
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這款新一代雙向MOSFET憑借這些功能,加上占位面積僅1.8mm x 1.8mm、厚度少于0.4mm的芯片級(jí)封裝,非常適合注重外形小巧的電池管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)及電池保護(hù)應(yīng)用。其他功能還包括少于1V 的閘極臨限電壓,有助于全面提升通道在低電壓下操作的效能,以及防止靜電放電電壓超過(guò)2kV的閘極保護(hù)能力。
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新產(chǎn)品的目標(biāo)終端市場(chǎng)包括智慧型手機(jī)、平板電腦、照相機(jī)、可攜式媒體播放機(jī),以及尺寸、重量和電池壽命都對(duì)其至關(guān)重要的同類型消費(fèi)性產(chǎn)品。

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