意法半導(dǎo)體推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET，其先進(jìn)的能效與卓越的可靠性將為更多節(jié)能應(yīng)用帶來(lái)技術(shù)優(yōu)勢(shì)，包括純電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)的逆變器、太陽(yáng)能或風(fēng)力發(fā)電、高能效驅(qū)動(dòng)器、電源以及智慧電網(wǎng)設(shè)備。
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意法半導(dǎo)體這次推出的1200V SCT20N120進(jìn)一步擴(kuò)大了碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列，具有小于290m?的導(dǎo)通電組（RDS(ON)）及高達(dá)200°C的最大工作接面溫度等諸多特性優(yōu)勢(shì)；其高度穩(wěn)定的關(guān)機(jī)能源（Eoff）與閘極電荷（Qg）可使開(kāi)關(guān)性能在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)表現(xiàn)始終如一。最終的低導(dǎo)通和切換損耗結(jié)合超低漏電流將有助于簡(jiǎn)化熱管理設(shè)計(jì)，并最大幅度地提高可靠性。
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除更低的電能耗損外，意法半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET的開(kāi)關(guān)頻率較同等級(jí)的硅絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）高出三倍，SCT20N120的耐高溫特性可大幅簡(jiǎn)化電源組件、電動(dòng)汽車(chē)等應(yīng)用的冷卻／散熱系統(tǒng)（cooling-system）設(shè)計(jì)。它還采用意法半導(dǎo)體獨(dú)有的HiP247?封裝，其更高的熱效率可使管線在最大工作溫度高達(dá)200°C時(shí)，依然能夠維持與TO-247工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)功率封裝外型相容。