在PERC席卷高效電池技術(shù)之際，透過黑硅（black silicon）技術(shù)優(yōu)化金剛線切多晶硅片，進(jìn)而提升多晶電池片轉(zhuǎn)換效率的技術(shù)，亦重新獲得重視。中國一線大廠晶科能源計(jì)劃透過PERC加上黑硅技術(shù)，在今年開始量產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率達(dá)20.5%的高效多晶電池片。

在PERC技術(shù)進(jìn)展下，晶科的量產(chǎn)多晶電池片轉(zhuǎn)換效率平均已接近20%，為業(yè)界龍頭。為進(jìn)一步提高電池效率并降低硅片切割成本，晶科決定采用金剛線切搭配黑硅技術(shù)來處理。

金剛線切多晶硅片時(shí)，會使所生產(chǎn)的電池表面過于光亮，使光反射率過高而降低電池的轉(zhuǎn)換效率，因此需加上一道被稱為“黑硅技術(shù)”的表面蝕刻工藝處理，形成奈米級凹坑，增加入射光的捕捉量。

黑硅技術(shù)目前分成干法蝕刻離子反應(yīng)法（Reactive Ion Etching，RIE）與濕法的金屬催化化學(xué)腐蝕法（Metal Catalyzed Chemical Etching，MECC）兩種，晶科所采用的是干法的RIE工藝，并已成功生產(chǎn)業(yè)界第一款金剛線切黑硅產(chǎn)品EAGLE BLACK；結(jié)合PERC與RIE技術(shù)，晶科希望在今年開始量產(chǎn)性價(jià)比更好的20.5%多晶高效電池片，較現(xiàn)行多晶PERC電池平均18.8~18.9%的效率更高。

此外，晶科亦著手研究低成本的MCEE工藝。該工藝已完成開發(fā)，目前正在進(jìn)行認(rèn)證。未來3至5年內(nèi)，晶科希望能進(jìn)一步量產(chǎn)60-cell輸出功率330W的組件，較目前功率提高22~30%。