單多晶之爭愈演愈烈，政策支持、技術(shù)、價格、度電成本無一不爭，這場戰(zhàn)火甚至卷入了傳媒界。保利協(xié)鑫副總裁呂錦標(biāo)認(rèn)為，技術(shù)消長是太陽能產(chǎn)業(yè)界的常態(tài)，政策的傾斜直接引發(fā)戰(zhàn)火，訊息傳播則助長戰(zhàn)況延燒。

在SNEC 2017會前，呂錦標(biāo)接受中國大陸光伏媒體的專訪，討論光伏產(chǎn)業(yè)鏈的市場趨勢與技術(shù)發(fā)展等問題。其中，單多晶之爭是備受關(guān)注的問題。呂錦標(biāo)表示，協(xié)鑫2016年的硅片銷量達(dá)17.5GW，且大多是多晶。雖然市場上傳言協(xié)鑫會擴(kuò)10GW單晶硅片產(chǎn)能，但目前實(shí)際建成的只有1GW多而已，且新設(shè)產(chǎn)能的技術(shù)目標(biāo)是N型而非現(xiàn)在主流的P型。

真正的戰(zhàn)場

呂錦標(biāo)認(rèn)為，當(dāng)前的單多晶之爭是一種“口水戰(zhàn)”，而源頭有二：國家政策的傾斜、媒體操作的訊息渲染。

太陽能是一種能源，度電成本才是技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵，因此業(yè)界均以平價上網(wǎng)為終極目標(biāo)。在此目標(biāo)下，各種技術(shù)持續(xù)競合，價格也隨之降低；例如單晶早已導(dǎo)入的金剛線切近來也陸續(xù)有多晶硅片采用，并為解決表面過于光滑的問題而應(yīng)用黑硅技術(shù)等。

呂錦標(biāo)直指中國大陸的“領(lǐng)跑者計劃”對單晶的傾斜是造成這波單多晶之爭的主要原因，并認(rèn)為該標(biāo)準(zhǔn)是“失誤”。他表示，能源局在2016年制定門檻標(biāo)準(zhǔn)時參考了公信部在2015年推出的光伏制造行業(yè)規(guī)范條件，以當(dāng)時單、多晶組件分別是16%與15.5%的效率各自提高1%，因此訂出17%與16.5%的門檻。然而，工信部的標(biāo)準(zhǔn)其實(shí)是為了扶植單晶產(chǎn)業(yè)、加速淘汰低效多晶產(chǎn)能而定，能源局在采定規(guī)范時的錯誤，造成了后續(xù)單晶大受政策鼓舞而多晶則左支右絀的情形。

呂錦標(biāo)指出，能源局已經(jīng)準(zhǔn)備修訂領(lǐng)跑者計劃門檻，分別制定單多晶的的標(biāo)準(zhǔn)，未來將能改善多晶處境，也使單多晶的競爭更為公平。此外，他也呼吁媒體業(yè)要堅守專業(yè)，避免選邊站和資訊誤導(dǎo)。