據(jù)申萬宏源研報分析，光伏硅片環(huán)節(jié)大型化趨勢明確，大硅片有望降本增效創(chuàng)造超額收益。
光伏硅片大尺寸趨勢有助于提升硅片產(chǎn)能，降低單位投資，降低拉晶能耗；充分挖掘電池環(huán)節(jié)工藝設(shè)備潛力，降低電池非硅成本。以M9、M10、M12三類硅片為例，分別將電池片環(huán)節(jié)的非硅成本降低了15．26％、18．49％、22．49％（相較156．75全方片）。若綜合考慮原材料硅片的成本降低（按一體化測算），則M9、M10、M12規(guī)格硅片分別將電池片環(huán)節(jié)的總成本降低了8．66％、10．41％、12．62％。大尺寸硅片經(jīng)濟效益顯著，有望創(chuàng)造超額收益。

大尺寸硅片制造難度較高，熱場和工藝是核心難點。

因為徑向溫差是熱應(yīng)力來源，所以單晶硅棒拉制要求徑向溫差盡量小，以避免增殖位錯，以及單晶失敗、斷線。徑向溫差是溫度梯度在晶體半徑上的積分，同樣的熱場條件，溫度梯度不變，拉晶的直徑越大，徑向溫差就會越大，導(dǎo)致拉晶過程越困難。此外，大直徑拉晶會增加硅棒重量，對生產(chǎn)企業(yè)的提拉工藝和后續(xù)加工處理技術(shù)提出更高的要求。

全方硅片去除留白，性價比凸顯有望成為主流。

全方／類方硅片選型的本質(zhì)，是在提高硅棒利用率和組件效率之間進行權(quán)衡。一方面，硅料成本的下降削弱了硅棒利用率的重要性。另一方面，組件高效化導(dǎo)致留白區(qū)域功率損失提高。因此，全方硅片性價比優(yōu)勢凸顯，有望成為未來單晶硅片主流形式。對比G1硅片和同邊距大倒角硅片（f213mm），G1硅片應(yīng)用于72片組件時增加成本約4．1070元，增加收益約6．2240元，為產(chǎn)業(yè)鏈提供凈收益2．1170元。
細線化、薄片化趨勢漸起，助力硅料用量減少。

薄硅片有利于降低硅耗和電池成本，核心技術(shù)問題在于保障薄硅片機械強度、提高切片良品率。截至2018年，單晶硅片平均厚度在170－180μm左右，而行業(yè)龍頭薄片量產(chǎn)能力已接近100μm。由于薄硅片機械強度較弱，電池隱裂問題一定程度上制約了薄片化進程。預(yù)計隨著N型電池興起，疊加雙玻、疊瓦、MWT、MBB等抗隱裂組件技術(shù)推廣，硅片厚度將持續(xù)減薄。隨著金剛線母線直徑及磨粒粒徑的降低，以及硅片厚度下降，每公斤方棒的出片量有望持續(xù)增加。2018年單晶方棒每月出片65片，較2017年增加5片。第三方機構(gòu)ITRPV預(yù)計未來10年M2硅耗量有望下降至12．5g左右，屆時每公斤方棒出片量將達到80片。

來源：ofweek