1.基本工藝流程
2.切割原理
3.清洗原理
4.技術(shù)發(fā)展方向

1. 基本工藝流程

2.切割原理：
碳化硅具有鋒利的棱角，利用碳化硅磨料滾動摩擦，對硅塊磨蝕切割。
聚乙二醇（切割液）將碳化硅黏合在鋼絲上，鋼線以一定的速度進(jìn)行傳送，實現(xiàn)滾動摩擦。
硅的莫氏硬度：7
碳化硅的莫氏硬度：9.0-9.2
3.清洗原理：

化學(xué)：Si+2OH-+H2O==SiO32-+2H2↑
物理：超聲波震動顆粒，噴淋，溫度
4.技術(shù)發(fā)展方向
（1）單晶切片往復(fù)切割工藝應(yīng)用
優(yōu)勢：節(jié)約鋼線，硅片厚度均勻
難點(diǎn)：解決線痕深度及寬度對電池印刷的影響，從而避免組件外觀不合格。
（2）金剛線開方及切片技術(shù)
優(yōu)勢：硅片TTV大大改善，降低碎片，有利于薄片化。
難點(diǎn)：硅片表面平滑度不如碳化硅切割的好，線材及工藝需要優(yōu)化
（3）帶硅技術(shù)
優(yōu)勢：避免了切縫損失，硅料利用率高。
難點(diǎn)：生長的硅片晶粒細(xì)小，缺陷密度高，金屬含量高，導(dǎo)致電池效率低。