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硅片切割工藝及發(fā)展趨勢

作者: | 發(fā)布日期: 2018 年 04 月 08 日 15:18 | 分類: 行業(yè)知識

1.基本工藝流程
2.切割原理
3.清洗原理
4.技術(shù)發(fā)展方向

1. 基本工藝流程

硅片切割工藝及發(fā)展趨勢 硅片切割工藝及發(fā)展趨勢

2.切割原理:
碳化硅具有鋒利的棱角,利用碳化硅磨料滾動摩擦,對硅塊磨蝕切割。
聚乙二醇(切割液)將碳化硅黏合在鋼絲上,鋼線以一定的速度進(jìn)行傳送,實現(xiàn)滾動摩擦。
硅的莫氏硬度:7
碳化硅的莫氏硬度:9.0-9.2
3.清洗原理:

化學(xué):Si+2OH-+H2O==SiO32-+2H2↑
物理:超聲波震動顆粒,噴淋,溫度
4.技術(shù)發(fā)展方向
(1)單晶切片往復(fù)切割工藝應(yīng)用
優(yōu)勢:節(jié)約鋼線,硅片厚度均勻
難點(diǎn):解決線痕深度及寬度對電池印刷的影響,從而避免組件外觀不合格。
(2)金剛線開方及切片技術(shù)
優(yōu)勢:硅片TTV大大改善,降低碎片,有利于薄片化。
難點(diǎn):硅片表面平滑度不如碳化硅切割的好,線材及工藝需要優(yōu)化
(3)帶硅技術(shù)
優(yōu)勢:避免了切縫損失,硅料利用率高。
難點(diǎn):生長的硅片晶粒細(xì)小,缺陷密度高,金屬含量高,導(dǎo)致電池效率低。

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