日前，協(xié)鑫集成電池技術(shù)總監(jiān)盛健博士出席研討會時(shí)透露其金剛線高效黑硅PERC疊加MBB（多主柵）技術(shù)電池平均效率超過20.8%，組件主流功率超過300W。
盛健介紹，2017保利協(xié)鑫已有85%多晶出貨變成金剛線切片，從國內(nèi)來看，2018年金剛線切片會占到90%，砂漿切割在國內(nèi)會逐漸消失。金剛線切割多晶硅片成本優(yōu)勢非常明顯。金剛線切片在制絨上的挑戰(zhàn)，行業(yè)已有完善的解決方案，濕法黑硅技術(shù)正在不斷實(shí)現(xiàn)突破，產(chǎn)業(yè)化方案已經(jīng)成熟，成本接近0.1元/片，且將繼續(xù)降低。而成熟的RIE、MCCE黑硅絨面技術(shù)疊加高效背鈍化電池技術(shù)，使得多晶PERC效率持續(xù)走高?！敖饎偩€切片+PERC+黑硅”已經(jīng)被公認(rèn)為多晶提質(zhì)降本的主流方向。
從近日完成的領(lǐng)跑基地招標(biāo)情況來看，雙面發(fā)電組件的市場會被逐漸打開，雙面多晶PERC技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)低、兼容性好，組件工藝易匹配。跟單晶相比，多晶雙面率與單晶相差無幾，可以達(dá)到70%，未來還是有進(jìn)一步的優(yōu)化空間。多晶PERC與MBB技術(shù)或半片技術(shù)疊加，可讓多晶電池效率進(jìn)一步觸摸新高。
MBB技術(shù)不久之后將成為市場主流已成為業(yè)內(nèi)共識。除了有效率增益之外，MBB技術(shù)的主要優(yōu)勢在于，節(jié)省銀漿降低成本，抗隱裂可靠性提升，高顏值又可以兼容半片的技術(shù)，未來還可以其他疊加新技術(shù)。MBB技術(shù)讓電池效率增加0.2%，正面銀漿單耗下降25%。從焊接工藝來說，國內(nèi)多主柵串焊機(jī)采用傳統(tǒng)焊接法，趨于成熟，制程良率等指標(biāo)接近常規(guī)水平。
與此同時(shí)，另一股熱潮也正在行業(yè)形成，那就是切半組件技術(shù)。目前激光切半技術(shù)方案，產(chǎn)業(yè)化成熟度高，切半后更低的內(nèi)部電流，降低組件功率損耗，與黑硅PERC疊加應(yīng)用效果較好，另外，切半組件采用分體式接線盒，熱效應(yīng)更低。切半+1500V的系統(tǒng)應(yīng)用，更有助于降低系統(tǒng)損耗，切半組件可以使CTM提升約2%。如果切半技術(shù)與MBB疊加，可以進(jìn)一步提升組件功率。
盛健介紹，協(xié)鑫集成金剛線高效黑硅PERC疊加MBB技術(shù)電池平均效率超過20.8%，組件CTM大于98%，主流檔位295W以上組件占比大于96%，其中300W以上比例超過56%。據(jù)了解，整個(gè)行業(yè)多晶PERC發(fā)展比預(yù)測要慢，主要掣肘來自行業(yè)對多晶PERC投資比較少。很多人認(rèn)為多晶PERC的LeTID衰減還未得到解決，所以對此投資比較謹(jǐn)慎。值得一提的是，協(xié)鑫集成多晶高效PERC的LeTID問題已經(jīng)可以被解決，穩(wěn)定后的LeTID衰減可控制在1.5%以內(nèi)，適合量產(chǎn)。盛健認(rèn)為，多晶LeTID處理相對復(fù)雜，但是未來控制在1%以內(nèi)是有可能的。
2019年，協(xié)鑫集成將主推雙面產(chǎn)品，屆時(shí)雙面多晶效率會達(dá)到21.3%，組件功率達(dá)到315W。更高質(zhì)量的硅片通過先進(jìn)接觸鈍化技術(shù)、MBB、切半等各種高效技術(shù)疊加與優(yōu)化，到2020年產(chǎn)業(yè)化目標(biāo)是多晶效率要達(dá)到21.5%。（文章來源：摩爾光伏）
