5月30日，在2018年SNEC“十大亮點”發(fā)布會上，保利協(xié)鑫“TS+”第二代黑硅片憑借出色的技術參數、客戶聲譽、過往業(yè)績及未來潛力脫穎而出，榮獲本屆展會“十大亮點”評選最高級別獎項——太瓦級鉆石獎。

保利協(xié)鑫“TS+”第二代黑硅片，開創(chuàng)性地采用了“正面制絨”+“背面拋光”的獨特工藝，同時具備優(yōu)良的表面陷光性能和更優(yōu)的背面鈍化效果，更加兼容高效多晶PERC技術。自問世以來，以其高效、穩(wěn)定的產品表現，獲得市場的一致好評。據了解，“TS+”第二代黑硅片制絨成本降低約30%，背面拋光工藝更適用于PERC技術，通過一系列工藝技術優(yōu)化，“TS+”第二代黑硅片的電池效率增益將提升至0.5%，而組件功率增益也將提升至5W（60片）。

硅片端的技術升級為后序的電池端帶來良好收益。5月27日，協(xié)鑫集成重磅發(fā)布了超高效300W+系列新品，4款高度集成協(xié)鑫最新前沿技術的MBB新多單晶高效組件正式亮相。其中，應用了“TS+”第二代黑硅片的300W+單玻系列MBB多晶組件，量產功率達305W，是全球量產效率最高的多晶常規(guī)版型組件，超過應用領跑者滿分指標。

保利協(xié)鑫以出色的硅料品質、持續(xù)降低的鑄錠單位能耗、金剛線切片技術改造助力多晶硅片繼續(xù)保持性價比優(yōu)勢，通過技術升級和工藝改進，多晶硅片每年可以提升0.1%-0.2%的轉換效率。此外，保利協(xié)鑫儲備多年的鑄錠單晶技術將迎來市場化，鑄錠單晶硅片下個月將接受客戶訂單。繼金剛線切黑硅片之后，鑄錠單晶硅片也將成為對市場有重大影響的差異化產品，進一步縮小同直拉單晶硅片之間的效率差距，而且將在性價比方面具有較強的競爭力。